6月20日音讯，据媒体报谈，英特尔一位董事冷漠，将来晶体管辩论（如GAAFET和CFET）可能裁汰芯片制造对先进光刻树立（尤其是EUV光刻机）的依赖。这一不雅点挑战了刻下先进芯片制造的中枢范式。
现在，ASML的极紫外（EUV）光刻机是制造高端芯片（如7nm及以下节点）的要害树立，它厚爱将极其微弱的电路辩论“打印”到硅晶圆上。
磋议词，该董事以为，像环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）这么的新式辩论，将显耀增多光刻之后制造当作（越过是刻蚀时期）的蹙迫性，从而浮松光刻在举座工艺中的主导地位。
芯片制造历程始于光刻——将辩论图案转化到晶圆名义。随后通过千里积添加材料，并通过刻蚀袭取性地去除材料，最终酿成晶体管和电路结构。
伸开剩余61%新式晶体管辩论的中枢在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精准刻蚀冷漠了更高条件。为了从各个标的“包裹”栅极或创建堆叠结构，芯片制造商需要更细腻地、越过是横向地去除晶圆上的富余材料。
因此，该董事指出，将来的重心可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更要害的刻蚀工艺，以确保这些新式三维晶体管结构的精准成型。这预示着芯片制造时期路子可能迎来要紧转念。
光刻与蚀刻旨趣对比
1. 光刻时期愚弄光学投影旨趣将掩膜领土形转化至硅片光刻胶层，通事后续显影酿成三维电路模板，其永诀精炼接决定芯片制程节点。
2. 蚀刻时期依靠等离子体或湿法化学腐蚀技能，袭取性去除未被光刻胶保护的硅片材料，罢了图形结构的立体构建，其各向异性收尾身手至关蹙迫。
公共时期发展态势
1. 光刻机阛阓由ASML等外洋巨头主导，极紫外光刻（EUV）已成为7nm以下制程的圭臬惩处决议，单台树立造价普及1.5亿好意思元。
2. 中国蚀刻树立国产化率已冲突20%，在中微半导体等企业鼓吹下，16nm工艺蚀刻机罢了量产，但高端阛阓仍依赖入口。
时期协同发展旅途
1. 双重图形化时期中，蚀刻工艺与多重光刻酿成互补，通过两次图形转化罢了更高永诀率。
2. 自瞄准多重 patterning 决议依赖高精度蚀刻罢了特征尺寸减半，裁汰对光刻机永诀率的需求。
将来产业化出息
1. 在存储器芯片制造规模，蚀刻时期凭借深硅刻蚀上风，在3D NAND堆叠结构中发扬中枢作用。
2. 逻辑芯片制造仍需光刻界说要害尺寸，但先进封装时期为蚀刻工艺招引了新的应用场景。
刻下时期发展阶段清楚，蚀刻时期可在特定工艺枢纽罢了功能补充，但在完好芯片制造历程中尚不具备全面替代光刻时期的身手。两者将在时期迭代过程中酿成更紧密的工艺协同关系。
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